在购买固态硬盘时,我们经常看到介绍存储芯片时常会说到3D Nand Flash颗粒。那么什么是2D Nand ,什么是3D Nand 它们有哪些优缺点呢?
根据储存颗粒的制造工艺Flash颗粒分为2D和3D,在解释3D NAND之前,我们先得弄清楚2D NAND是什么,以及“2D”和“3D”的真实含义。
2D NAND,仅从数学领域来说,2D/3D是指方向和坐标轴,“2D”指平面上的长、宽,“3D”则指的是长、宽、高。 由此可知,2D NAND指一种颗粒在单die内部的排列方式,它是按照传统二维平面模式进行排列闪存颗粒的。3D NAND则是在二维平面基础上,对垂直方向也进行了颗粒的排列,即将原本平面的排列进行了堆叠。
3D Nand Flash仍然可以采用与平面存储器相同的SLC、MLC和TLC技术,通过将颗粒进行立体式的堆叠,从而解决了单个die可用容量的限制,以进一步提高可用的存储密度。 简单来说,之前的2D NAND是平面的架构,而3D NAND是立体的。用盖房子来解释,如果2D NAND闪存是平房,那3D NAND就是高楼大厦。
把存储单元立体化,这意味着每个存储单元的单位面积可以大幅下降,从而大幅提升闪存的存储容量。 把存储单元立体化,这意味着每个存储单元的单位面积可以大幅下降,从而大幅提升闪存的存储容量,降低了每字节的成本。同时3D NAND芯片中的存储单元比分散在2D设备表面的存储单元靠得更近。这意味着信号不必传输太远,也减少了它们的延迟。
3D NAND使用多层垂直堆叠,以实现更高的密度,更低的功耗,更好的耐用性,更快的读/写速度以及更低的每千兆字节成本。
有公司已开始 176 层 3D NAND 的量产,并在消费级 SSD 产品中得到使用。
|