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发表于 2019-10-9 03:08:40
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产品详情页的渲染图中的三星闪存SN为:S9UCG4J1CB9-B0B1,这显然是一枚UFS闪存芯片,但是三星的UFS闪存:
第1位必须是K: "Samsung Memory" 三星内存(运存/闪存);
第2位必须是 L: "MOVI NAND, MCP" 闪存或MCP产品;
第3位是 U: 闪存接口类型为"UFS",与渲染图相符;
第4-5位是 CG: Memory density is 64GB (AG for 16GB, BG for 32GB,DG for 128GB, EG for 256GB,FG for 512GB,GG for 1TB);
第6位是 4: Composition is NAND4 + Microcontroller 封装中含有4个NAND芯片及微控制器;
第7位是 J: NAND Small Clasification (Type or Density) is MLC 闪存架构为MLC;
1)SLC(Single-Level Cell)为1或9;
2)TLC(Triple-Level Cell)为V、U或Z;
3)MLC(Multi-Level Cell)为A、B、C、D、E、G、J、K等。
第8位是 1: Supply voltage, mode 电压,模式;
第9位是 C: Controller version 控制器版本 HS-G3 1-Lane(5.8Gbps);
第10位是 B: Flash type B-die 闪存颗粒类型 B-die(M、A、B、C、D、E、F、G);
他这多了一个位 9,估计是乱写的,三星UFS闪存SN的格式就是前面10位-后面4位;
后面第1位是 B: Package type is FBGA lead-free, halogen-free 无铅无卤素FBGA封装;
后面第2位是 0: Revision None 未修改原始版本;
后面第3位是 B: UFS2.0(与接口协议版本有关,4-eMMC 5.1,C-UFS2.1,D-UFS3.0);
后面第4位是 1: Normal sample 正常样品。
因此产品详情页的渲染图中SN为S9UCG4J1CB9-B0B1的三星闪存编号实际编号应为:KLUCG4J1CB-B0B1,规格信息为:MLC UFS2.0 64GB 11.5x13x1.0 FBGA153,确实是MLC,但是我买的这枚确实是TLC。
说到这里大家想到一个厂商没,没错,就是华为。现在大家对eMMC和UFS闪存的命名如此清晰透彻很大程度也是归功于华为的闪存门事件。也许这次也是MLC和TLC闪存混用?反正性能确实达到了,也还算说得过去。
而且,据了解,iQunix也是从上游供应商拿到的电路板然后自己做了外壳......所以,个人还是更倾向于相信iQunix也是蒙在鼓里......所以我才没有举报他们之类的,积极的向客服反馈了这个问题,等回复吧。 |
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