魔改CF盘

Hashimoto

zlts12y 发表于 2019-10-24 15:31
既然cf盘那么好为啥没有jd自营，哪怕维修拉回运费客户也不需要担心，上门取，等着换新就行？ ...

首先，京东自营需要一定年限，CF盘也是近几年才入驻京东（之前一直在淘宝），所以没有达到年限要求。其次就是，入驻京东需要在全国各个地区的仓库全部有库存（不然你以为京东当天上午下单下午就送到是怎么做到的）。
再有一个就是，CF的销售重心在天猫而非京东，你看看京东售价就知道了，论坛给坛友的优惠券也只有天猫才可以用，因为京东每下一单就要抽成一部分，那还不是羊毛出在羊身上......你去算一下同款产品在京东比天猫贵多少，算出一个百分比，那就是京东抽成的部分了。
至于店主为啥没及时回你消息的事情，据我所了解，店主超级壕的，不敢说做这个完全出于爱好而一点点盈利的想法都没有，但是他好像有一大堆项目的，所以比较忙，我觉得还是可以理解。

Hashimoto

zlts12y 发表于 2019-10-24 15:31
既然cf盘那么好为啥没有jd自营，哪怕维修拉回运费客户也不需要担心，上门取，等着换新就行？ ...

其实，我不知道你哪里有没有啊，我都不喜欢上门取件，因为跟人接触就会有麻烦，所以我现在都是从丰巢快递柜直接寄件，非常方便，也很实惠。当然你也可以直接下单选择让快递上门取件啊......我觉得这不是啥大问题。

colorful

Hashimoto 发表于 2019-10-24 14:59
「自己掏运费就给换新的」和「商家掏运费给你修」你选哪个......
我记不清从什么时候开始用CF的产品了， ...

现在是不是SK6221买不到了，我是说厂商方面是不是进不到货了，还是903好于6221？ SLC单片最大是16g吗，还是说主控对slc最大支持每个槽16g。 现在3d颗粒多起来，论坛是不是要上新主控造一批新的普通主控u盘了……

Hashimoto

colorful 发表于 2019-10-25 10:49
现在是不是SK6221买不到了，我是说厂商方面是不是进不到货了，还是903好于6221？ SLC单片最大是16g吗，还 ...

IS903新的电路板就可以支持部分3D MLC啊，IS903肯定是比SK6221好（没有绝对的好与坏对与错，但是显然现在SK6221已经被淘汰出历史舞台（主要还是因为支持的闪存芯片太少，不然当初就不会有那么多人搞叠焊），而IS903早就可以做到读写300MB/s：
IS903 64G SLC 读300MB/s 写270MB/s 的神盘开箱简评+组装、有视频
https://bbs.luobotou.org/forum.p ... id=11837&fromuid=17
(出处: 萝卜头IT论坛)

SLC的话现在镁光也有3D SLC了，单颗128GB（64层堆叠），不过一般是用于企业级的设备。目前2D SLC单颗最大好像是512Gb（64GB）。

MLC最大是单颗512GB，料号为29F04T2AWCMG2，Intel第二代3D MLC NAND，（之前CHIPFANCIER NANO 1TB版本就采用此闪存），业内称其型号为L06B，正好是 Intel/美光3D NAND MLC模式的代号，如果是B0KB那便是开成TLC模式。（是的，前面说的那个单颗128GB的镁光3D SLC就被一些人开成了QLC模式。所以CF才特意强调不用SLC Cache算法）

TLC最大是单颗1TB，东芝的BiCS 3 64层堆叠3D TLC闪存，目前CHIPFANCIER 3D NANO 2TB版本就采用此款闪存（所以大家不要弄混了，CF的NANO系列还是之前一样的MLC，新的3D NANO系列才是TLC，3D的含义就是3D TLC的那个3D。不过就算是TLC也是行业内最顶级的TLC，原厂正片，所以成本依旧不会低。我可是发自内心的说，没被充值哦。）

QLC的话，根据三星的技术文档，使用96层堆叠封装技术的3D QLC可以实现单颗2TB的容量。

有兴趣的话可以看看我多年前写的帖子：科普下目前最新的各种封装方式的闪存引脚定义
https://bbs.luobotou.org/forum.p ... id=11704&fromuid=17
(出处: 萝卜头IT论坛)

科普下全球几大闪存厂的目前最新的闪存制造工艺
https://bbs.luobotou.org/forum.p ... id=11675&fromuid=17
(出处: 萝卜头IT论坛)

最后啰嗦几句，我上面说的这些都是当今大家已经看到的产品。我也无从知晓闪存芯片的物理极限在哪，也许未来单颗4TB的MLC都有可能。

我想表达的是，其实最大的问题不是单颗闪存容量不够，而是主控不支持这些闪存，这些闪存单颗就可以做到8CE甚至16CE，其产生的数据量是一般U盘主控很难处理的。而且你说怎么搞新的U盘主控？那不就是SM3282吗，SSD主控加和桥接做在一起变成U盘主控，那大家肯定还是觉得SM2246EN真香啊，没人去碰SM3282，可以说已经到了瓶颈期了。

我多年前分别入手了东芝EX和EX2，本来说等EX3出了一定买，结果就是短期内不太可能出了。

放着成熟的低成本的）SM226EN不用（SSD主控本身成本就高，我所谓的低成本就是人家都把路给你趟平了，不需要研发费用），非要去搞成本更高性能更差的SM3282？所以现在没人搞，看看以后会不会有人搞吧。

colorful

Hashimoto 发表于 2019-10-25 14:04
IS903新的电路板就可以支持部分3D MLC啊，IS903肯定是比SK6221好（没有绝对的好与坏对与错，但是显然现在S ...

感谢hash的大段回复！

文字和链接都看了几遍，链接里的封装图没细看，当然细看也应该不是很懂。有些问题还想问一下，麻烦您解惑。
“科普封装”的帖子里下边的"ONFI3.2 Flash Performace"柱状图，上方图例里是16k page的颗粒，我理解这个16k和操作系统的文件系统的分页大小的意思差不多，是指一次读写的大小（或者叫数据长度）。但他用16k的来跑速度，是不是说16k的速度比4k的大一些？论坛的盘page一般都是多大？其次中央图例是“Cache Read”，但他没说拿什么cache，左侧的mlc用什么cache，右侧的slc呢？并且还有个问题，如果是ram cache，那么形式是单个颗粒对一块ram，还是所有颗粒共用整个ram？
“科普闪存工艺”里说"TSOP<LGA<BGA"，但我看有的帖子里说IS903的封装是“QFN64”，这里的两个封装是一个东西吗……按照网上帖子“超能课堂(125)：常见USB 3.0 U盘主控汇总”（我发链接会被论坛检测，这里只好写标题了），903只支持普通堆叠SLC MLC，是不是这个帖子写的不细，毕竟903的点几版本很多……

Hashimoto

colorful 发表于 2019-10-25 18:09
感谢hash的大段回复！

文字和链接都看了几遍，链接里的封装图没细看，当然细看也应该不是很懂。有些问题 ...

那个图的含义大概就是说在“16KB Page”下测得MLC和SLC在不同通道数的情况下的性能，具体为什么要用16KB肯定有他的原因在，在我看来更多的就是为了控制变量吧。16KB和4KB哪个更快显而易见吧，自己看图：



至于缓存，那就像SM2246XT就是主控内置384KB缓存，SM2246EN就是1GB容量对应1MB外置DDR缓存，那肯定是整个盘公用这些缓存啊，前面说的对应关系只是决定总缓存的大小，实际肯定是要处理数据就直接放到缓存里面，那就要看擦写几块Flash里面的数据了啊，和主控的算法有关。至于拿什么当缓存，那就得看具体他是什么主控了，反正人家做到控制变量就好了啊。分页大小，你自己都说了那个分页文件跟系统的分页文件差不多啊。分页文件，是Windows系统内存管理机制的一部分。它的大小，是系统根据主板上内存容量大小，自动分配并设置的。通常文件大小与内存容量相当。你要说磁盘扇区大小那一般是512B或4KB，这个就说来话长了，具体看这个文章：https://zhuanlan.zhihu.com/p/42825606

QFN64是IS903主控的封装方式，而前面TSOP、LGA、BGA那些我指的是闪存的封装方式相对片面的可以看出工艺的好坏，按照那个顺序，越大代表封装密度越高，芯片制程也就越先进。你要是单就封装方式来说那QFN64也是一种芯片的封装标准，后面的数字就类似BGA132/BGA152这样的数字一样，但是闪存芯片没有QFN64这种标准，具体我这个帖子前面已经写的很清楚了：科普下目前最新的各种封装方式的闪存引脚定义
https://bbs.luobotou.org/forum.php?mod=viewthread&tid=11704&fromuid=17
(出处: 萝卜头IT论坛)

colorful

Hashimoto 发表于 2019-10-25 22:10
那个图的含义大概就是说在“16KB Page”下测得MLC和SLC在不同通道数的情况下的性能，具体为什么要用16KB肯 ...

atto这个图是连续数据的读写速度，和闪存的擦写page不是一个东西吧……我想人家说的是芯片的分页方式吧，应该不是指你给这个测速16k比4k快。实际擦的时候，16k不太可能比4k快吧，毕竟要擦的东西多了（假设数据少于16k）。我这里想问的是它用16k page，是不是一定就比4k page快，现在的主流，不管是ssd还是u盘，内部设置page都是多大的。这个值至少来说Windows自带的文件系统格式化工具指定不了吧？我理解跟操作系统的文件系统的分页值毫无关系吧。

另外它的cache program究竟是什么东西，怎么会比read慢那么多·····或者说cache read怎么会那么快，每个柱子都到顶，难道芯片的真实读速度，已经超过ddr2 533的缓存速率了吗········

而且很奇怪，为什么右边蓝柱子291和533一样高，感觉很难解释……

Hashimoto

colorful 发表于 2019-10-26 11:07
atto这个图是连续数据的读写速度，和闪存的擦写page不是一个东西吧……我想人家说的是芯片的分页方式吧， ...

分页（Page）这个概念是内存才有的，对于磁盘是块（Block）、扇区（Sector）和簇（Cluster），
你可以看看下面这几篇文章：
https://blog.csdn.net/yangguosb/article/details/79877191
https://my.oschina.net/manmao/blog/746492
https://www.i3geek.com/archives/1275

cache read就是缓存读取，chche program翻译是缓存编程（缓存写入），写入的过程就是对闪存进行编程。一般读取就是比写入快很多，至于为什么，那就要从闪存的基本结构——浮栅晶体管（浮栅金属氧化物半导体场效应晶体管）开始讲起，那就说来话长了，推荐你去看看这个视频，讲得很清楚：https://www.bilibili.com/video/av65296229

内存的533是频率啊，单位为MHz，闪存这是速率啊，单位为MB/s，没有可比性。内存肯定是要比闪存快得多啊，等效传输频率为533MHz的DD2内存的数据传输率为4300MB/s，具体原理自己搜。

那个图533到顶是因为533就是他那些数据里面最大的，那不然所有的上面都空一块？以他的那个坐标轴和参考系到顶那个位置就是533，没毛病。
至于291和533为什么一样高，你仔细看每个柱子的数据和他们的比例关系。单通道是73，双通道是146，到四通道就变成了291，每个数据都是翻了一倍左右，所以以同一个坐标轴和参考系来看那个柱形图也要画的比前一个长一倍，但是它最小的那个73画的太长了，导致后面到291就画满了，如果你非要较真那533就得画到图外面去。而且其实最小的那个73画太长也是因为他想在柱形图里面写“73 MB/s“这些字，那你会说为啥不像左边一样写到外面去呢？那你去问做这个图的人吧......如果这个写到外面为了美观那是不是533那个也得写到外面，那是不是就占用了更多的面积呢。所以出于面积和美观的因素，就画成这样了，但是数据都是没错的，所以无伤大雅。