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西数正在开发自己的LLF低延迟闪存，与传统的3D NAND相比，它将提供更高的性能和耐用性，最终用于与英特尔的傲腾存储竞争。  本周的活动上，西数谈到了其新的低延迟闪存NAND。该技术旨在实现3D NAND和DRAM之间的性能。LLF闪存将具有微秒级的延迟，采用SLC或者MLC颗粒。
西数表示，LLF闪存的成本比DRAM低10倍，但是按照每GB价格计算，3D内存的成本仍是3D NAND的20倍，因此它只能用于针对数据中心或高端工作站，类似于现在的英特尔Optane和三星Z-NAND。
外媒报道称，存储大厂西部数据（WD）正在开发自家的低延迟闪存，与传统 3D NAND 相比，其能够带来更高的性能和耐用性，旨在与英特尔傲腾产品展开竞争。在本周的 Storage Field Day 上，西数透露该技术介于 3D NAND 与 DRAM 之间，类似于英特尔傲腾和三星 Z-NAND 。其访问延迟在微妙级，使用 1-bit 或 2-bit 的存储单元。 作为一款性能向的定制设备，LLF 存储的成本是 DRAM 的 1 / 10 。但是按照当下的每 GB 价格计算，其成本是 3D NAND 存储的 20 倍。换言之，这项技术只会在数据中心或高端工作站普及开来。  西数没有透露其低延迟闪存的所有细节，也无法说明它是否与去年推出的东芝XL-Flash 低延迟3D NAND 或其它特殊类型的闪存的关联有关。
至于实际的 LLF 产品将于何时上市，该公司不愿表态。即便西数的 LLF 基于 BiCS4 的 3D NAND 存储技术打造，即日起开始生产的难度也不大。 
有趣的是，尽管西数的低延迟闪存将与英特尔傲腾和三星 Z-NAND SSD 展开竞争，但该公司并未将 LLF 称为“存储级内存”（SCM）。 
从长远来看，西数正在秘密开发基于 ReRAM 的存储级内存产品，并与惠普携手开发基于忆阻器的 SCM 硬件。
当然，研发往往需要多年。在下一代技术投入使用前，业界还是会着力于更成熟的 NAND 闪存，来满足客户对于容量和性能的需求。
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发表于 2019-3-15 16:03:59
