2018款 CHIPFANCIER NANO USB3.1固态闪存盘图赏

wintogo

Hashimoto 发表于 2018-7-6 11:26
这次我们有两种电路设计，单颗Flash也可以达到和之前一样的速度，但是有效的降低了发热，大容量版本还是双 ...

我猜也是了， 设计单面 是为了降低功耗， 不过感觉效果可能不会太明显。 1.主要发热单位是桥接芯片 2.速度单颗肯定比不是双颗的 ，多通道加速摆在那里3.体积变小了，，热量肯定比之前老款大 。长度相应也会增加。等NVME 转USB3.1吧（不过我看了下好像发热也不小）
作为学生党的我还是继续用老款吧，
不过有改变总是好的~

Hashimoto

wintogo 发表于 2018-7-6 11:59
我猜也是了， 设计单面 是为了降低功耗， 不过感觉效果可能不会太明显。 1.主要发热单位是桥接芯片 2.速 ...

长度增加了但是加入了22颗钽电容进行掉电保护，至于多通道多CE的问题，这和闪存数量有什么关系？现在一颗Flash就可以做到之前两颗甚至多颗Flash的通道数和CE数，性能也绝对不比之前差......你没见过只有一颗闪存就读写破1GB/s的SSD吗......发热问题，各有取舍吧。

88361682

wintogo 发表于 2018-7-6 11:59
我猜也是了， 设计单面 是为了降低功耗， 不过感觉效果可能不会太明显。 1.主要发热单位是桥接芯片 2.速 ...

2个结论都错误
1：核心发热是FLASH，其次才是ASM SM2246EN 15nm发热已经是最低，再新的3D NAND技术用的老制程 发热更高
2:通道数和颗粒数没有关系，最新的BGA316 BGA272封装单颗粒可以集成四通道，一颗就可以喂饱SM2246EN极限，但是因为颗粒容量限制所以后期512G 1T会使用双贴版本，但是128 256会使用单贴版本。

88361682

wintogo 发表于 2018-7-6 11:59
我猜也是了， 设计单面 是为了降低功耗， 不过感觉效果可能不会太明显。 1.主要发热单位是桥接芯片 2.速 ...

不过PRO版本确实在体积和外壳齿状设计上相对于NANO版本更占有散热能力的优势。

bosch

这一次终于将容量印在了盘体上，有进步，值得表扬

墨璿

终于等到新产品。先赞一个，再仔细看。

lsj8924

对比了很多，发现这款基本上是最符合WTG的产品了。而且还很漂亮。但是无奈囊肿羞涩，现在我的方案是SSD+sata to USB3.1接口。性能和稳定性目前没发现有啥问题，也省钱了。但是便携性无疑不如这个固态U盘的。

pansf

权限终于放开了，非常喜欢2246EN的芯片。比较稳定