本帖最后由 powerxing 于 2017-10-18 00:36 编辑
上个月底购买CHIPFANCIERPro时考虑过512G,看到坛友有人反应512G掉盘不识别的几率大于256G的,且由于第一次购买,于是入手了256G的,今天心血来潮实测了下耗电:
1、测试环境:
联想MIIX4旗舰版(插入电源适配器,电源选项:高性能模式)
Intel Core M5-6Y54处理器
8G内存,三星256G固态 TLC、2280、NGFF
Windows10 x64 专业版(开启UASP、UEFI+VHDX启动)
【Intel原生USB3.0】→【USB3.0一分三HUB+千兆LAN】→【USB3.0电流表】→【ChipFancierPro256G固态U盘】
2、先来看看SMART信息:
固件版本Q0303B(2017.3.3),主机逻辑写入量(F1项)已经有807GB,实际Flash写入量(F5项 )已经达到1480GB,写入放大为1.83,主机到接口UDMA的ECC纠错(C7)和CRC校验计数(C3)不为零,还有不显示温度,不知道是固件原因还是电路设计问题,希望下一代改进。PS:其中F1、F2、F5项的16进制数据转换为10进制后 ÷ 32 = 数据量(单位GB)。
3.1、在USB2.0下测速图:
4K-64线程写入高达4万+IOPS
在NAND写入量已经有几个P/E的情况下读写速度依旧很给力且比较稳定,可见主控主动GC的重要性。
4.1、插入USB2.0无读写(5.03V、210mA左右):
4.2、在USB2.0下连续读写(5.02V、230mA-260mA,平均250mA):
4.3、在USB2.0下随机读写(5.03V、230mA-260mA,偶尔270mA):
4.4、从电脑USB2.0安全弹出(5.04V、187mA):
5.1、电脑USB3.0空载电压(5.06V):
5.2、插入USB3.0无读写(4.99V、240-250mA):
5.3、在USB3.0下连续读取(4.96V、370-390mA):
5.4、在USB3.0下连续写入(4.91V、400-550mA):
5.5、在USB3.0下随机4K读取(4.98V、274-276mA):
5.6、在USB3.0下随机4K写入(4.97V、275-290mA):
5.7、在USB3.0下随机4K-64线程读取(4.96V、330-350mA):
5.8、在USB3.0下随机4K-64线程写入(4.96V、360-390mA):
5.9、在USB3.0下访问时间-读取(4.98V、260-270mA):
5.10、在USB3.0下访问时间-写入(4.97V、290-320mA):
5.11、从电脑USB3.0安全弹出(4.99V、225-226mA):
6、其实刚开始写入测试的瞬间电流也有超过400mA的时候,不过手机相机捕捉不到,这样看所需电流并不太大。
7、我的是通过USB3.0HUB连接的,如果是直连原生3.0只会更加稳定。如果使用2.0我也试过两次,发热低不少,连续读写只有30MB/s左右,但是得益于爆表的4K性能,WinToGo启动并没有想象的慢,即使与7200转的3.0的机械硬盘相比,启动和运行速度依旧强好多倍。
8、另外256G用了近一个月也出现过3次插上没有盘的现象,只要重新插拔即可,有512G的坛友也一起测试分享下使用心得吧
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