2020款 CHIPFANCIER SE II 超高速USB3.2固态闪存盘 拆解评测
首先自然是祖传开箱环节～
包装用的透明胶带上也印有CHIPFANCIER的注册商标
此次收到的是工程样盘，所以是这样的黑色防震袋包装，正是零售版会是精致的黑色包装盒
CF很早之前就换成那种精致的黑色包装盒了，最近一段时间有买过CF盘的人应该都知道
特意叫厂家多寄了一套外壳，给大家看下做工顺便研究下内部结构
https://bbs.luobotou.org/forum.php?mod=attachment&aid=MjI2MDl8MDBmYjlkM2R8MTU5ODcwMDA1MHwxN3w0NjU0OQ%3D%3D&noupdate=yes
这就是我第一次摸到这个盘的真实反应（不好意思爆粗口了）
因为外壳是锌合金材质，再加上采用了G2板型，体积小密度大，沉甸甸的真的很有分量感
金属表面是类肤质感（塑胶质感），用一加虎哥的话怎么说来着，手感真TM爽，如婴儿肌肤般滑嫩
这个LOGO的字是凹下去的，据说这个LOGO是直接做到模具，压铸成型LOGO，然后用新的材料工艺再上色的
无论是看起来还是摸起来都十分有质感（不夸张的说，甚至比Pro和NANO还强，入门级吊打高端可还行）
不过因为这个外壳是锌合金压铸成型，所以使用高端CNC工艺铝合金外壳的Pro和NANO显然是没办法做到这样......
背部印着「Superspeed USB Flash Drive」，意为「超高速USB闪存盘」，后面可能还是会改成「Solid State Flash Drive」，意为「固态闪存盘」
讲真，当我第一次听说CHIPFANCIER要做旋转壳U盘的时候，是十分不屑的，就这？当然，当我真正摸到盘的时候，果然还是逃不过真香定律。
说到旋转壳U盘，不知道大家最想想到的是什么哪个产品，我最先想到的就是金士顿DT101系列
DT101
DT101 G2
DT101 G3
金士顿DT1和DT101也是我小时候最早接触到的USB闪存盘产品了，印象深刻。（暴露年龄了～）
而山寨比正品还多的金士顿，也奠定了G2 U盘板型的基础，这个G2指的就是DT101 G2（起码我是这样认为，要么就是DT1 G2）
当时金士顿的U盘买到手看电路板是规整的矩形大概率就是正品，如果是电路板有两个小尾巴突出了跟外壳固定的那就是山寨品（扯远了～）
说到旋转壳除了金士顿，我其次想到的就是笑着无奈的那个锌合金外壳，也是给我留下了深刻的印象（不过是负面印象）具体可以看看这个回帖：https://bbs.luobotou.org/forum.php?mod=redirect&goto=findpost&ptid=44954&pid=99089&fromuid=17
https://bbs.luobotou.org/forum.php?mod=attachment&aid=MTg0MjJ8ZDA5Nzg3NmR8MTU5ODYzNTM4MnwxN3w0NDk1NA%3D%3D
你还别说，我感觉CHIPFANCIER SE II的外壳就是在笑着无奈用的这个公版外壳的基础之上改版而来
https://bbs.luobotou.org/forum.php?mod=attachment&aid=MTg0MjN8MzExYzRkZjV8MTU5ODYzNTM4MnwxN3w0NDk1NA%3D%3D
不过无奈家这外壳内部是啥东西，这是生锈了吗？还是发霉了？我至今都没搞懂，有知道的朋友可以来科普一下。
（酸民们不要造谣说我黑无奈，无奈家的产品很好啊，一分钱一分货吧，不谈价格论品质就是耍流氓，何况无奈也提供了二十多块钱的CNC外壳供选择）
但是反观CHIPFANCIER SE II这外壳，内部，真的太干净了！（这不是应该的么，惊讶个毛线～）
外壳上两面各有4个限位凹点
配合旋转盖两侧的1个限位突点和两个定位突点，可以提供4种旋转固定位置
4种旋转固定位置如图所示
仔细观察，固定U盘电路板的塑料盖和盘身的纹路是契合的，并且盘身的造型也有传承NANO系列的设计
总结：
1.相比金士顿的塑料外壳，SE II才用了类肤质感的锌合金外壳，坚固耐用的同时，手感真TM爽
2.虽和公版外壳结构相似，但无论是手感还是细节都要好了太多（当然也不是完美的，后面会说槽点）
3.无论是传承自NANO系列的造型，还是定制模具LOGO下凹式设计，看得出来这是一款用心去做的产品，而不是简单的贴牌
接下来就到了祖传测试环节，是骡子是马拉出来溜溜～
Windows常用磁盘测试工具 官方下载地址汇总（2020年8月更新）https://bbs.luobotou.org/forum.php?mod=viewthread&tid=44988&fromuid=17(出处: 萝卜头IT论坛)
ChipGenius 芯片精灵测试
CrystalDiskInfo 测试
trimcheck 测试
Windows To Go 磁盘测试
ATTO Disk Benchmark 测试
IsMyHdOK 测试
CrystalDiskMark 测试
TxBENCH 测试
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Anvil's Storage Utilities 测试
Blackmagic Disk Speed Test 测试
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IOmeter 4K QD32 随机写入测试IOmeter测试原始数据：
IOmeter 连续写入测试IOmeter测试原始数据：
urwtest 读写可靠性测试
HD Tach RW 测试
HD Tune Pro 测试
接下来就到了祖传拆解环节，不给大家拆开看看电路板怎么爽～
特意叫厂家不用给我封胶，轻轻一拔就可以出来了
（不过还是建议你们封胶用，不然从电脑USB接口一拔，电路板就直接出来了可不好玩）
透过外壳还可以看到内部的LED灯
USB接口朝上来说，左边是3个（2白1绿），右边是2个（1白1绿），不过暂时没开放这么多LED 只是预留的位置先贴了
来自工厂产线上新鲜出炉的照片～
上面图那个有外壳塑料盖挡着看不清的话可以看这个
同样，USB接口朝上来说，左边是3个（2白1绿），右边是2个（1白1绿）
就我的观察来看，通电的一瞬间，（背面看）左边多的一个白色LED会亮一下，而后如果是USB2.0状态，左右两个绿色和白色LED同时亮
如果是USB3.2状态，只有左右两个白色LED亮
其实早在NANO上后期就已经加入了这样的设计，只是在宣传的产品详情页里并没有标出来，通过LED灯颜色就可以简单判断磁盘运行在哪种状态下，必须好评
电路板正面特写，最大的那颗芯片就是祥硕科技（ASMedia）ASM1153E USB3.2 Gen1 转接芯片
毕竟是入门级产品线，毕竟是2246XT，配1153E貌似也没什么不妥（2246XT配ASM235CM那给人感觉简直就像是i3-10100处理器配了个Z490主板的感觉）
电路板背面特写，左边是慧荣科技（Silicon Motion） SM2246XT SSD控制器，右边是东芝（Toshiba）TH58TFT0JFLBAEF 15nm MLC闪存
这个颗粒不是常见的BGA132封装，是比较少见的BGA272，单颗粒支持4通道，也就是说一颗就可以塞满SM2246XT的4个通道。
内部封装了8个CE，1CE/1DIE，16K/page 4plane，会比2plane颗粒性能更优秀。
例如常见的TH58TFT0DFLBA8H，TH58TFG9DFKBA8K会比TH58TFT0DDLBA8H，TH58TEG9DDKBA8H性能好点。
来自：2D MLC最后的末班车 2246EN方案U盘单贴TH58TFT0JFLBAEF 写400M读取500M|http://bbs.mydigit.cn/read.php?tid=2637608
是的，你没看错，市面上大多SSD方案U盘主控板都只支持BGA132/152封装的颗粒，只有少数是为了用三星SSD拆机颗粒才设计的BGA316焊盘，专门用来支持三星特有的BGA316封装颗粒。
在U盘这种高度集成化的设备上，电路板面积寸土寸金，脚位多=性能屌（英特尔10代U不是也增加针脚数目换接口了）。不夸张的说，这一颗BGA272闪存甚至比两颗BGA132/152闪存的速度来的都要更猛。
电路板侧面特写，同为2246XT，同为G2单面PCB布局，tb之前已经有很多类似方案出现了。
不同是SE II是8层板设计，单帖BGA272闪存（市面上的方案一般都只能贴BGA132/152闪存），并且电路板上有许多颗钽电容。
你可能会好奇2246XT不是没外置独立DRAM，为啥还需要钽电容，这不是多此一举了吗？其实不然，独立DRAM并不是大家想的那样缓存数据，一般1GB闪存才对应1MB缓存要是存数据还不得等到黄花菜都凉了。
这个外置独立DRAM一般是用了存FTL表的，现在很多NVMe SSD也支持HMB技术，可以跟主机共享内存，把一部分FTL表存在主机内存里，但是纵使PCIe接口速率很快，但是这一来一回延迟还是太大了，所以一般无外置DRAM缓存的方案性能会差很多，写入放大也会大很多。（没错，这个2246XT写入放大也很严重）
而且NVMe SSD通过USB转接芯片转接一下就没办法用HMB协议了，何况SATA SSD压根儿不存在这样的协议，那么FTL表存在哪呢？要么在主控中，要么在闪存中。
就像CPU的三级缓存一样，无独立DRAM方案的SSD主控内部也会集成一定的缓存（比如2246XT主控就内置了384KB缓存），一小部分目前读写正在使用的FTL会被读取到主控哪知道缓存中，大部分FTL还是会存在闪存的备用区块中。
既然有易失性内存，那就有FTL表丢失的风险。至于这些钽电容是有实际作用，还是心理作用，那就不得而知了。
接下来说说这个盘的槽点：
仔细看的话侧面这边有一个圆点，不知道是外壳的问题还是喷漆的问题
正面仔细看也有很多毛糙的点，外壳表面不够平整
盖子内部也有不平整的地方
（我是不是有点儿吹毛求疵了，不过这确实是不如Pro和NANO外壳的地方，毕竟那是高端的CNC工艺）
其次就是，在我玩耍整一个下午之后，发现外壳居然掉渣......
可能是因为我特意铺了张A4纸拍照的原因，掉渣格外明显，可能那一圈磨过一遍就不掉渣了。
然后，我这个盘在我故意把一圈都磨掉之后，就再也没有出现掉渣的状况了，这个问题应该不难解决。
希望U盘在出厂的时候，能帮我完成这个掉渣的过程，或者喷漆干脆不要喷中间圆圈那部分了，反正也是要掉渣的。
关于金属外壳的处理工艺，最后再科普一波知识：
铝合金的表面处理通常是阳极氧化，不适合电镀。为什么铝合金不适合电镀呢？
铝的化学性比较活泼，如果电镀，在酸性电解液中，阴极上铝离子在获得电子还原的同时，就生成铝盐和氢气。如果是碱性电解液，就生成氢氧化铝和氢气。
因此，铝不能够用电镀的方式得到镀层。这和电解食盐水得不到金属钠，而是得到氢氧化钠是一个道理。
锌合金压铸的常用表面处理是电镀，不适合阳极氧化。需要注意压铸铝合金氧化表面效果不佳。
铸造铝合金和压铸件一般含有较高的硅含量，阳极氧化膜都是呈深色的，不可能得到无色透明的氧化膜，随着硅含量的增加，阳极氧化膜的颜色从浅灰色到深灰色直至黑灰色。因此铸造铝合金不适合于阳极氧化。
但是锌合金压铸件做阳极氧化处理的效果会特别差劲，做出良品率非常低，阳极氧化处理也是个非常繁琐的过程。锌合金压铸件通常还是用电镀的表面处理工艺。
以上两段内容来自知乎：https://zhuanlan.zhihu.com/p/51827415
因此，锌合金压铸成型的外壳不适合阳极氧化，只能电镀，所以就可能会出现跟iPhone 5一样的状况（非常容易掉漆），这就要长期使用才能发现了。
我用这么短时间是没发现外壳外面有掉漆的情况。（旋转部分那块不算，那是我故意摩擦掉的）
尾巴：
回顾历史，其实CHIPFANCIER SE这条产品线也已经有些年头了，最早要追溯到2014年的SK6221 32GB SLC，不知道还有多少坛友记得，长这样：
（2014-2015）
后来SLC闪存越来越稀少，这条产品线不得已将方案由SK6221更换为ASM1053E+SM2246XT，一开始背面印的只是WINDOWS TO GO，当时还没有SE这样一个命名
拜苹果所赐，世界上多了好多叫某某X的的产品，也多了好多叫某某SE的产品，CHIPFANCIER SE这个命名就是由此应运而生，目标就是做像iPhone SE那样的既有不俗的性能，价格又不会让人无法接受的产品
（2016-2019）
改名之后SE产品线的电路板也进行了一次全新的升级，LED灯由红色换成白色，电路板变成定制的8层主板，桥接芯片也换成功耗更低的ASM1153E
（2020-至今）
因为众所周知的原因（疫情），本应在2020年初完成更新换代的CHIPFANCIER SE产品线被迫延期，拖到现在才得以更新。
这次的CHIPFANCIER SE II换成了定制的锌合金旋转外壳，电路板也进一步缩小升级到G2板型，使得整体体积进一步缩小。
体积虽小，但性能却丝毫不减，得益于单颗BGA272闪存就可以做到4通道，一颗闪存就可以塞满SM2246XT的四通道。
容量也从之前可怜的32GB/64GB升级成128GB/256GB，就是不知道价格会不会变了，就算涨价了，产品竞争力也还是很强的，毕竟这次是全方位的升级。
不过受限于SM2246XT主控是无独立DRAM缓存方案，桥接芯片也是低一级的ASM1153E，想要极致性能那还是选NANO/3D NANO产品线的产品吧。
这次的SE II相当于是花了NANO 50%的价格买了80%的性能，非常具有性价比，适合想要玩WTG，但又不想花很多钱买大块头的固态U盘的玩家。 哇哇哇哇
必须顶顶顶顶顶{:05:}
我正愁着买什么U盘送给同学
希望快点出啊
价格也不要太高了 真的太棒了
以前的SE老是找盖子，现在不怕了 ZhanBE 发表于 2020-8-29 22:05
真的太棒了
以前的SE老是找盖子，现在不怕了
以前的SE盖子也可以盖在U盘尾部hh {:05:} 哗~又有新玩儿了{:05:} 你这是不是有点标题党了？不写成USB3.0最起码也得要写个USB3.2 Gen1吧？ {:05:}