论三星 eMMC UFS 闪存命名规则 Samsung eMMC UFS Naming Rules
事情是这样的，之前我发了这样一个帖子：可能是目前最具性价比的WTG方案——SM3350 UFS闪存盘评测https://bbs.luobotou.org/forum.php?mod=viewthread&tid=44954&fromuid=17
(出处: 萝卜头IT论坛)
其中我提到了有关三星UFS闪存的命名规则， 当时是参考了知乎这个帖子：https://zhuanlan.zhihu.com/p/26551649
大概就因为这个事情吧，无奈说我给的信息都是错的，然后，我发现这个帖子其实并不是完全正确的。
无论是搞科学还是技术，从来都不应该怕承认错误，所以，当初我写的有问题，这么多人提醒我，我才注意到问题，就让我来自打脸吧。
Excel电子版：
我来指出一下我目前发现的知乎那个帖子的问题：
字符7： V: NAND Small Clasification (Type or Density) is TLC 闪存架构为TLC
其中，第7个字符与闪存架构有关：
1）SLC（Single-Level Cell）为1或9；
2）TLC（Triple-Level Cell）为V、U或Z；
3）MLC（Multi-Level Cell）为A、B、C、D、E、G、J、K等。
1.根据三星官网这个文档：http://www.samsungmemory.com.cn/pd.jsp?id=36
KLM4G1FEPD-B031和KLM4G1FETE-B041，前者为2D TLC，后者为2D MLC，可他们的第7位都是F。反例还有很多，自己去我上面的表格里面找吧。
移动设备用的嵌入式闪存本来就是从eMMC 5.1过渡到UFS2.0的，所以闪存命名规则按理来说也是应该延续下来的。（eMMC和UFS闪存应该是同一套命名规则）
从这里最起码可以说明，通过这第7位来判断是其闪存架构，目前看来是不正确的。
至于这一位具体表示啥，我目前也没研究明白，大家可以看看表格分析一下，有结果欢迎在下面留言。
字符8： 1: Supply voltage, mode 电压，模式（X）
2.参考这里：https://www.samsung.com/semiconductor/cn/estorage/emmc/
KLMEG8UCTA-B041和KLMDG8JEUD-B04P工作电压都是1.8/3.3V，而第8位一个是C一个是E，所以我认为这第8位应该表示闪存接口（协议）。
所以参考了下这里：https://www.samsung.com/semiconductor/cn/estorage/eufs/
三星新出的UFS3.0型号为KLUGGARHDA-B0D1，接口为G4 2Lane，所以E=HS400，1=G3 2Lane，H=G4 2Lane
字符9： E: Controller version 控制器版本（与HS-Gx x-Lane有关）（X）
3.上面第8位表示这个接口协议了，这一位自然而然也就错了，至于这一位具体表示啥，我目前也没研究明白，大家可以看看表格分析一下，有结果欢迎在下面留言。
字符14（我这里是“-”后面的字符3）和字符15（我这里是“-”后面的字符4）我给他补充了一下。
至于我怎么得到的这些信息，信息来源就是上面给出的几个链接，自己排序找规律就是了，还有就是翻遍了全网有关三星eMMC和UFS的DataSheet。
目前还是没搞懂第7位和第9位到底表示什么，欢迎知道的大佬在下面留言。
看了一下之前的帖子，我感觉ufs的盘还是不如ssd主控和mlc的好用，而且一时半会也超不过。。尤其是连续写入，直接一半都不如了。。。（日常吃瓜看大佬们聊天{:15:}） 第9位表示什么，楼主大人是否弄清楚了?可否告知下。 KLUEG8U1EM-B0B1。256GBUFS2.0 Hi0755 发表于 2022-6-15 09:04
KLUEG8U1EM-B0B1。256GBUFS2.0
第一次离没有焊接的存储芯片这么近！！
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